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NTMFS4922NE
TYPICAL CHARACTERISTICS
7000
11
6000
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
9
Q T
5000
4000
8
7
6
3000
2000
1000
0
C oss
C rss
5
4
3
2
1
0
Q GS
Q GD
T J = 25 ° C
V DD = 15 V
V GS = 10 V
I D = 30 A
0
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
25
V GS = 0 V
100
10
t d(off)
t f
t r
t d(on)
20
15
10
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
10
0 V < V GS < 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
1 ms
200
180
160
140
120
I D = 37 A
1
10 ms
100
80
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
dc
60
40
20
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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